LASER DOPING OF SILICON - ROLE OF THE SURFACE STATUS IN THE INCORPORATION MECHANISM

被引：7

作者：

BENTINI, GG ^{[1
]}

BIANCONI, M ^{[1
]}

CORRERA, L ^{[1
]}

NIPOTI, R ^{[1
]}

PATTI, DA ^{[1
]}

GASPAROTTO, A ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV PADUA,DEPARTIMENTO FIS,I-35131 PADUA,ITALY

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0169-4332(89)90934-3

中图分类号：

O64 [物理化学（理论化学）、化学物理学];

学科分类号：

070304 ; 081704 ;

摘要：

引用

页码：394 / 399

页数：6

共 6 条

BENTINI, GG ;

BIANCONI, M ;

SUMMONTE, C .

APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING, 1988, 45 (04) :317-324

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