INSITU THERMOELECTRIC-POWER MEASUREMENTS OF UHV DEPOSITED AMORPHOUS SILICON

被引：8

作者：

BEYER, W ^{[1
]}

STUKE, J ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV MARBURG,FACHBEREICH PHYS,MARBURG,FED REP GER

来源：

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH | 1975年 / 30卷 / 02期

关键词：

D O I：

10.1002/pssa.2210300255

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

引用

页码：K155 / K158

页数：4

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共 4 条

BEYER, W ;

STUKE, J .

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH, 1975, 30 (02) :511-520

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