MICROHARDNESS OF ION IMPLATED GAP

被引：5

作者：

ASCHERON, C ^{[1
]}

NEUMANN, H ^{[1
]}

BUGROV, VN ^{[1
]}

KARAMYAN, SA ^{[1
]}

机构：

[1] DUBNA JOINT NUCL RES INST,DUBNA,USSR

来源：

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH | 1987年 / 103卷 / 02期

关键词：

D O I：

10.1002/pssa.2211030242

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

引用

页码：K81 / K84

页数：4

共 5 条

[1]

ASCHERON C, 1987, NUCL INSTRUM METH B, V18, P161

[2] MICROHARDNESS OF PROTON BOMBARDED GAP SINGLE-CRYSTALS [J].

ASCHERON, C ;

NEUMANN, H ;

DLUBEK, G ;

KRAUSE, R .

[3] DAMAGE PROFILE ON HIGH-ENERGY ION-IMPLANTED GAP [J].

ASCHERON, C ;

OTTO, G ;

FLAGMEYER, R ;

ZSCHAU, HE ;

BUGROV, VN ;

KARAMYAN, SA .

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH, 1986, 97 (01) :K15-K19

[4] THE ELASTIC PROPERTIES OF ION-IMPLANTED SILICON [J].

BURNETT, PJ ;

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[5]

BURNETT PJ, 1986, I PHYSICS C SERIES, V75, P789