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- [11] IMPROVED OHMIC PROPERTIES OF AU-GE CONTACTS TO THIN NORMAL-GAAS LAYERS ALLOYED WITH AN SIO2 OVERLAYER[J]. ELECTRONICS LETTERS, 1979, 15 (21) : 674 - 676VIDIMARI, F
ELECTRICAL AND THERMAL-STABILITY OF AUGENI OHMIC CONTACTS TO GAAS FABRICATED WITH INSITU RF SPUTTER CLEANING
被引：14
作者：
CALLEGARI, A
LACEY, D
PAN, ETS
机构：
关键词：
D O I：
10.1016/0038-1101(86)90073-0
中图分类号：
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ;
0809 ;
摘要：
引用
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页码：523 / 527
页数：5
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