ELECTRICAL PERFORMANCE AND PHYSICS OF ISOLATION REGION STRUCTURES FOR VLSI

被引：24

作者：

GOODWIN, SH ^{[1
]}

PLUMMER, JD ^{[1
]}

机构：

[1] STANFORD UNIV,INTEGRATED CIRCUITS LAB,STANFORD,CA 94305

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/T-ED.1984.21623

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：861 / 872

页数：12

共 15 条

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