0.66 MU-M ROOM-TEMPERATURE OPERATION OF INGAAIP DH LASER-DIODES GROWN BY MBE

被引:35
作者
KAWAMURA, Y
ASAHI, H
NAGAI, H
IKEGAMI, T
机构
关键词
D O I
10.1049/el:19830114
中图分类号
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
0808 ; 0809 ;
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页码:163 / 165
页数:3
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