TECHNOLOGY FOR THE COMPATIBLE INTEGRATION OF SILICON DETECTORS WITH READOUT ELECTRONICS

被引：16

作者：

ZIMMER, G

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0168-9002(84)90186-4

中图分类号：

TH7 [仪器、仪表];

学科分类号：

0804 ; 080401 ; 081102 ;

摘要：

引用

页码：175 / 184

页数：10

共 15 条

[1]

Black W. C. Jr., 1976, International Electron Devices Meeting. (Technical digest), P331

DEAL, BE ;

SKLAR, M ;

GROVE, AS ;

SNOW, EH .

[3]

HOFFLINGER B, 1980, I PHYS C SERIES, V57, P85

[4]

MIJAMOTO J, 1983, 1983 INT EL DEV M WA, P63

[5]

PARILLIO LC, 1980, IEEE INT EL DEV M, P752

[6]

SAKAI Y, 1978, 10TH P C SOL ST DEV

[7]

SAKAI Y, 1979, JPN J APPL PHYS S, V18, P73

[8] COMPATIBLE NMOS, CMOS METAL GATE PROCESS [J].

SCHNEIDER, J ;

ZIMMER, G ;

HOEFFLINGER, B .

[9]

WALLMARK T, 1966, FIELD EFFECT TRANSIS

[10]

YU KK, 1981, IEEE INT SOL ST CIRC, P208