ROLE OF SEQUENTIAL ANNEALING, OXIDATION, AND DIFFUSION UPON DEFECT GENERATION IN ION-IMPLANTED SILICON SURFACES

被引:59
作者
PRUSSIN, S [1 ]
机构
[1] TRW SEMICOND,LAWNDALE,CA 90260
关键词
D O I
10.1063/1.1663468
中图分类号
O59 [应用物理学];
学科分类号
摘要
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页码:1635 / 1642
页数:8
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