HIGH-SPEED SILICON AVALANCHE PHOTODIODES WITH BUILT-IN FIELD

被引：6

作者：

KANBE, H ^{[1
]}

MIZUSHIMA, Y ^{[1
]}

KIMURA, T ^{[1
]}

KAJIYAMA, K ^{[1
]}

机构：

[1] NIPPON TELEGRAPH & TEL PUBL CORP,MUSASHINO ELECT COMMUN LAB,MUSASHINO,TOKYO 180,JAPAN

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.323142

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：3749 / 3751

页数：3

共 5 条

BERCHTOLD, K ;

KRUMPHOLZ, O ;

SURI, J .

[2]

DAIKOKU K, COMMUNICATION

[3] AVALANCHE BUILDUP TIME OF SILICON AVALANCHE PHOTODIODES [J].

KANEDA, T ;

TAKANASHI, H .

[4] SPATIAL HOLE-BURNING EFFECTS IN A ND3+-YAG LASER [J].

KIMURA, T ;

OTSUKA, K ;

SARUWATARI, M .

MCINTYRE, RJ .