AN ANALYTICAL EXPRESSION FOR FERMI LEVEL VERSUS SHEET CARRIER CONCENTRATION FOR HEMT MODELING

被引：98

作者：

KOLA, S ^{[1
]}

GOLIO, JM ^{[1
]}

MARACAS, GN ^{[1
]}

机构：

[1] MOTOROLA INC,DIV GOVT ELECTR,CHANDLER,AZ 85248

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/55.2067

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：136 / 138

页数：3

共 6 条

[1] METAL-(N) ALGAAS-GAAS TWO-DIMENSIONAL ELECTRON-GAS FET [J].

DELAGEBEAUDEUF, D ;

LINH, NT .

[2] MODEL FOR MODULATION DOPED FIELD-EFFECT TRANSISTOR [J].

DRUMMOND, TJ ;

MORKOC, H ;

LEE, K ;

SHUR, M .

ELECTRON DEVICE LETTERS, 1982, 3 (11) :338-341

[3]

KOLA S, UNPUB IEEE T ELECTRO

LEE, K ;

SHUR, M ;

DRUMMOND, TJ ;

MORKOC, H .

VINTER, B .

[6]

[No title captured]