THIN SIO2-FILMS FORMED BY OXYGEN ION-IMPLANTATION IN SILICON - ELECTRON-MICROSCOPE INVESTIGATIONS OF SI-SIO2 INTERFACE STRUCTURES AND THEIR C-V CHARACTERISTICS

被引：24

作者：

DYLEWSKI, J ^{[1
]}

JOSHI, MC ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV BOMBAY,DEPT PHYS,BOMBAY 400019,INDIA

来源：

THIN SOLID FILMS | 1976年 / 37卷 / 02期

关键词：

D O I：

10.1016/0040-6090(76)90190-5

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

引用

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页码：241 / 248

页数：8

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共 14 条

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