NEW MODEL TO EXPLAIN COLORS GENERATED ON SURFACE OF ION-IMPLANTED SILICON WAFERS

被引:11
作者
BEANLAND, DG [1 ]
机构
[1] ROYAL MELBOURNE INST TECHNOL,MELBOURNE,AUSTRALIA
来源
RADIATION EFFECTS AND DEFECTS IN SOLIDS | 1977年 / 33卷 / 04期
关键词
D O I
10.1080/00337577708233110
中图分类号
TL [原子能技术]; O571 [原子核物理学];
学科分类号
0827 ; 082701 ;
摘要
引用
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页码:219 / 220
页数:2
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