EFFECT OF QUASIBOUND-STATE LIFETIME ON THE OSCILLATION POWER OF RESONANT TUNNELING DIODES

被引:119
作者
BROWN, ER
PARKER, CD
SOLLNER, TCLG
机构
关键词
D O I
10.1063/1.100812
中图分类号
O59 [应用物理学];
学科分类号
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