DIODE CHARACTERISTICS IN LASER-RECRYSTALLIZED AND CONVENTIONAL POLYCRYSTALLINE SILICON

被引：8

作者：

EGGERMONT, GEJ

DEGROOT, JG

机构：

来源：

ELECTRON DEVICE LETTERS | 1982年 / 3卷 / 06期

关键词：

D O I：

10.1109/EDL.1982.25520

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

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页码：156 / 158

页数：3

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共 6 条

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