THE EFFECT OF INFRARED FLASH LAMP ANNEALING ON THE ELECTRICAL-PROPERTIES OF MODULATION-DOPED GAAS/N-ALGAAS STRUCTURES

被引：3

作者：

KAJIKAWA, Y ^{[1
]}

MIZUGUCHI, K ^{[1
]}

MUROTANI, T ^{[1
]}

FUJIKAWA, K ^{[1
]}

SONODA, T ^{[1
]}

机构：

[1] MITSUBISHI ELECT CORP,KITA ITAMI WORKS,ITAMI,HYOGO 664,JAPAN

来源：

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B | 1984年 / 2卷 / 02期

关键词：

D O I：

10.1116/1.582796

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：249 / 251

页数：3

共 3 条

ANDO, T .

ISHIKAWA, T ;

HIYAMIZU, S ;

MIMURA, T ;

SAITO, J ;

HASHIMOTO, H .

[3] RADIATION ANNEALING OF SI-IMPLANTED AND S-IMPLANTED GAAS [J].

ITO, K ;

YOSHIDA, M ;

OTSUBO, M ;

MUROTANI, T .

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS, 1983, 22 (05) :L299-L300