AMPHOTERIC DEFECTS AT THE SI-SIO2 INTERFACE

被引：59

作者：

CHANG, ST ^{[1
]}

WU, JK ^{[1
]}

LYON, SA ^{[1
]}

机构：

[1] PRINCETON UNIV,DEPT ELECT ENGN,PRINCETON,NJ 08544

来源：

APPLIED PHYSICS LETTERS | 1986年 / 48卷 / 10期

关键词：

D O I：

10.1063/1.96736

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

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页码：662 / 664

页数：3

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