共 31 条
HYDROGEN-RELATED DEEP LEVELS IN PROTON-BOMBARDED SILICON
被引:135
作者:
IRMSCHER, K
KLOSE, H
MAASS, K
机构:
来源:
JOURNAL OF PHYSICS C-SOLID STATE PHYSICS
|
1984年
/
17卷
/
35期
关键词:
D O I:
10.1088/0022-3719/17/35/007
中图分类号:
O469 [凝聚态物理学];
学科分类号:
070205 ;
摘要:
引用
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页码:6317 / 6329
页数:13
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