SHALLOW SOURCE-DRAIN STRUCTURES FOR VLSI CMOS TECHNOLOGY

被引：2

作者：

BUTLER, AL

FOSTER, DJ

机构：

来源：

PHYSICA B & C | 1985年 / 129卷 / 1-3期

关键词：

D O I：

10.1016/0378-4363(85)90582-0

中图分类号：

O4 [物理学];

学科分类号：

0702 ;

摘要：

引用

页码：265 / 268

页数：4

共 5 条

CARTER, C ;

MASZARA, W ;

SADANA, DK ;

ROZGONYI, GA ;

LIU, J ;

WORTMAN, J .

[2] CHANNELING EFFECT OF LOW-ENERGY BORON IMPLANT IN (100) SILICON [J].

LIU, TM ;

OLDHAM, WG .

TSAI, MY ;

STREETMAN, BG .

[4]

TSAUR BY, 1983, OCT ECS M, V83, P496

WITTMER, M ;

SEIDEL, TE .