PREPARATION OF SILICON-NITRIDE SINGLE-CRYSTALS BY CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION

被引：45

作者：

KIJIMA, K ^{[1
]}

SETAKA, N ^{[1
]}

TANAKA, H ^{[1
]}

机构：

[1] NATL INST RES INORG MAT,SAKURA,NIIHARI,IBARAKI 300-31,JAPAN

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0022-0248(74)90301-7

中图分类号：

O7 [晶体学];

学科分类号：

0702 ; 070205 ; 0703 ; 080501 ;

摘要：

引用

页码：183 / 187

页数：5

共 8 条

[1]

[Anonymous], JOINT COMMITTEE POWD

BEAN, KE ;

GLEIM, PS ;

YEAKLEY, RL ;

RUNYAN, WR .

GRIECO, MJ ;

WORTHING, FL ;

SCHWARTZ, B .

[4] PROPERTIES OF AMORPHOUS SILICON NITRIDE FILMS [J].

HU, SM .

[5]

MILEK JT, 1971, HDB ELECTRONIC MATER, V3

[6]

PEHLKE RD, 1959, T AM I MIN MET ENG, V215, P781

[7]

POPPER P, 1961, BRIT CERAM T, V60, P603

[8]

1965, JANAF THERMOCHEMICAL