POLYSILICON SOURCE AND DRAIN MOS-TRANSISTOR (PSD MOST)

被引：4

作者：

MIDDELHOEK, J ^{[1
]}

KOOY, A ^{[1
]}

机构：

[1] TWENTE UNIV TECHNOL,DEPT ELECT ENGN,ENSCHEDE,NETHERLANDS

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/T-ED.1976.18442

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：523 / 525

页数：3

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共 3 条

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