HIGH-STABILITY, PLASMA DEPOSITED, AMORPHOUS-SILICON NITRIDE FOR THIN-FILM TRANSISTORS

被引：28

作者：

JONES, BL

机构：

来源：

JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS | 1985年 / 77-8卷

关键词：

D O I：

10.1016/0022-3093(85)90820-8

中图分类号：

TQ174 [陶瓷工业]; TB3 [工程材料学];

学科分类号：

0805 ; 080502 ;

摘要：

引用

收藏

页码：957 / 960

页数：4

相关论文

共 4 条

[1] CLAASSEN WAP, 1983, P ELECTROCHEM SOC, V83, P430
[2] HYDROGEN CONTENT OF PLASMA-DEPOSITED SILICON-NITRIDE
LANFORD, WA
RAND, MJ
[J]. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1978, 49 (04) : 2473 - 2477
[3] CHARGE TRAPPING INSTABILITIES IN AMORPHOUS SILICON-SILICON NITRIDE THIN-FILM TRANSISTORS
POWELL, MJ
[J]. APPLIED PHYSICS LETTERS, 1983, 43 (06) : 597 - 599
[4] APPLICATION OF AMORPHOUS-SILICON FIELD-EFFECT TRANSISTORS IN ADDRESSABLE LIQUID-CRYSTAL DISPLAY PANELS
SNELL, AJ
MACKENZIE, KD
SPEAR, WE
LECOMBER, PG
HUGHES, AJ
[J]. APPLIED PHYSICS, 1981, 24 (04): : 357 - 362