学术探索
学术期刊
新闻热点
数据分析
智能评审
立即登录
MICROWAVE GENERATION IN NERFET
被引:19
作者
:
KASTALSKY, A
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
AT&T BELL LABS,MURRAY HILL,NJ 07974
AT&T BELL LABS,MURRAY HILL,NJ 07974
KASTALSKY, A
[
1
]
KIEHL, RA
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
AT&T BELL LABS,MURRAY HILL,NJ 07974
AT&T BELL LABS,MURRAY HILL,NJ 07974
KIEHL, RA
[
1
]
LURYI, S
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
AT&T BELL LABS,MURRAY HILL,NJ 07974
AT&T BELL LABS,MURRAY HILL,NJ 07974
LURYI, S
[
1
]
GOSSARD, AC
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
AT&T BELL LABS,MURRAY HILL,NJ 07974
AT&T BELL LABS,MURRAY HILL,NJ 07974
GOSSARD, AC
[
1
]
HENDEL, R
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
AT&T BELL LABS,MURRAY HILL,NJ 07974
AT&T BELL LABS,MURRAY HILL,NJ 07974
HENDEL, R
[
1
]
机构
:
[1]
AT&T BELL LABS,MURRAY HILL,NJ 07974
来源
:
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS
|
1984年
/ 5卷
/ 08期
关键词
:
D O I
:
10.1109/EDL.1984.25931
中图分类号
:
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
:
0808 ;
0809 ;
摘要
:
引用
收藏
页码:321 / 323
页数:3
相关论文
共 3 条
[1]
A FIELD-EFFECT TRANSISTOR WITH A NEGATIVE DIFFERENTIAL RESISTANCE
KASTALSKY, A
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
KASTALSKY, A
LURYI, S
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
LURYI, S
GOSSARD, AC
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
GOSSARD, AC
HENDEL, R
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
HENDEL, R
[J].
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS,
1984,
5
(02)
: 57
-
60
[2]
NOVEL REAL-SPACE HOT-ELECTRON TRANSFER DEVICES
KASTALSKY, A
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
KASTALSKY, A
LURYI, S
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
LURYI, S
[J].
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS,
1983,
4
(09)
: 334
-
336
[3]
LURYI S, 1984, IEEE T ELECTRON JUN
←
1
→
共 3 条
[1]
A FIELD-EFFECT TRANSISTOR WITH A NEGATIVE DIFFERENTIAL RESISTANCE
KASTALSKY, A
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
KASTALSKY, A
LURYI, S
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
LURYI, S
GOSSARD, AC
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
GOSSARD, AC
HENDEL, R
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
HENDEL, R
[J].
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS,
1984,
5
(02)
: 57
-
60
[2]
NOVEL REAL-SPACE HOT-ELECTRON TRANSFER DEVICES
KASTALSKY, A
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
KASTALSKY, A
LURYI, S
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
LURYI, S
[J].
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS,
1983,
4
(09)
: 334
-
336
[3]
LURYI S, 1984, IEEE T ELECTRON JUN
←
1
→