ON THE DETERMINATION OF THE NEUTRAL LEVEL AND CHARGE-DENSITY IN THE INTERFACIAL LAYER OF A MIS DIODE

被引：10

作者：

DAW, AN

DATTA, AK

ASH, MC

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0038-1101(82)90130-7

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：431 / 432

页数：2

共 7 条

[1] ELECTRICAL CHARACTERISTICS OF GAAS MIS SCHOTTKY DIODES [J].

ASHOK, S ;

BORREGO, JM ;

GUTMANN, RJ .

CARD, HC .

[3] SURFACE STATES AND BARRIER HEIGHT OF METAL-SEMICONDUCTOR SYSTEMS [J].

COWLEY, AM ;

SZE, SM .

LUE, JT .

[5]

PULFREY DL, 1976, IEEE T ELECTRON DEV, V23, P587, DOI 10.1109/T-ED.1976.18458

[6]

SLATER GC, 1977, SOLID ST ELECTRON, V20, P95

[7] METAL-SILICON SCHOTTKY BARRIERS [J].

TURNER, MJ ;

RHODERICK, EH .