TEMPERATURE AND EXCITATION DEPENDENCE OF THE PHOTOINDUCED EXCESS CONDUCTIVITY IN DOPING MODULATED AMORPHOUS-SILICON

被引：16

作者：

KAKALIOS, J ^{[1
]}

FRITZSCHE, H ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV CHICAGO,CHICAGO,IL 60637

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0022-3093(85)90850-6

中图分类号：

TQ174 [陶瓷工业]; TB3 [工程材料学];

学科分类号：

0805 ; 080502 ;

摘要：

引用

页码：1101 / 1104

页数：4

共 8 条

HUNDHAUSEN, M ;

LEY, L ;

CARIUS, R .

[2]

HUNDHAUSEN M, UNPUB

KAKALIOS, J ;

FRITZSCHE, H .

[4]

KAKALIOS J, 1984, AIP C P, V120, P425

[5]

KAKALIOS J, 1985 P SPR MAT RES S

[6]

KAKALIOS J, UNPUB

LANG, DV ;

LOGAN, RA .

[8]

SPEAR WE, 1976, PHOTOCONDUCTIVITY RE