GAAS-GAP STRAINED-LAYER SUPERLATTICES GROWN BY ATOMIC LAYER EPITAXY

被引：18

作者：

OZEKI, M

KODAMA, K

SAKUMA, Y

OHTSUKA, N

TAKANOHASHI, T

机构：

来源：

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B | 1990年 / 8卷 / 04期

关键词：

D O I：

10.1116/1.585003

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：741 / 746

页数：6

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共 12 条

[11] EXAMINATION OF PRODUCT CATALYZED REACTION OF TRIMETHYLGALLIUM WITH PHOSPHINE AND MECHANISM OF CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION OF GALLIUM-PHOSPHIDE AND GALLIUM-ARSENIDE [J].

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