ELECTRON DOUBLE RESONANCE OF IONIZED IMPURITY-PAIRS IN SILICON .I.

被引：6

作者：

TANAKA, S

KOMA, A

KOBAYASHI, M

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1143/JPSJ.22.127

中图分类号：

O4 [物理学];

学科分类号：

0702 ;

摘要：

引用

页码：127 / +

页数：1

共 15 条

[11] ELECTRONIC STATES OF IONIZED IMPURITY-PAIRS IN SILICON [J].

TAKEYAMA, K ;

KAWAHITO, M ;

OKAZAKI, M ;

KIKUCHI, M .

[12] MICROWAVE ABSORPTION IN SILICON AT LOW TEMPERATURES [J].

TANAKA, S ;

HANAMURA, E ;

KOBAYASHI, M ;

UCHINOKURA, K .

PHYSICAL REVIEW, 1964, 134 (1A) :A256-+

[13] IMPURITY CONDUCTION IN P-TYPE SILICON AT MICROWAVE FREQUENCIES [J].

TANAKA, S ;

FAN, HY .

PHYSICAL REVIEW, 1963, 132 (04) :1516-&

[14]

TANAKA S, 1966, P INT C SEMICONDUCTO, P566

[15]

TANAKA S, 1964, 7 P INT C PHYS SEM, P819