ANNEALING BEHAVIOR OF PHOSPHORUS IMPLANTED SILICON-CRYSTALS

被引：7

作者：

MITSUISHI, T ^{[1
]}

SASAKI, Y ^{[1
]}

ASAMI, H ^{[1
]}

机构：

[1] GUNMA UNIV,FAC TECHNOL,GUNMA,JAPAN

来源：

关键词：

D O I：

10.1143/JJAP.16.367

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：367 / 368

页数：2

共 5 条

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