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IMPROVED FREQUENCY-RESPONSE OF INP/INGAASP/INGAAS AVALANCHE PHOTODIODES WITH SEPARATE ABSORPTION, GRADING AND MULTIPLICATION REGIONS

被引：10
作者：
HOLDEN, WS
CAMPBELL, JC
FERGUSON, JF
DENTAI, AG
JHEE, YK
机构：
[1] AT&T Bell Lab, Crawford Hill, Lab, Holmdel, NJ, USA, AT&T Bell Lab, Crawford Hill Lab, Holmdel, NJ, USA
来源：
ELECTRONICS LETTERS | 1985年 / 21卷 / 20期
关键词：
AVALANCHE PHOTODIODES - GAIN-BANDWIDTH PRODUCT - GRADING AND MULTIPLICATION REGIONS - SEPARATE ABSORPTION;
D O I：
10.1049/el:19850625
中图分类号：
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ; 0809 ;
摘要：
(Edited Abstract)
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页码：886 / 887
页数：2
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