COMPARATIVE-STUDY OF ADMITTANCE SPECTROSCOPY AND DLTS IN DETERMINING TRAP LEVELS OF CDTE-ZNTE HETEROJUNCTIONS

被引：4

作者：

KHAN, MRH

SAJI, M

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0038-1101(86)90047-X

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：253 / 256

页数：4

共 4 条

[1] TRAP DEPTH AT THE INTERFACE OF CDTE-ZNTE HETEROJUNCTIONS [J].

KHAN, MRH ;

KOYAMA, Y ;

SAJI, M .

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS, 1984, 23 (02) :223-229

KHAN, MRH ;

SAJI, M .

LANG, DV .

[4] ADMITTANCE SPECTROSCOPY OF IMPURITY LEVELS IN SCHOTTKY BARRIERS [J].

LOSEE, DL .