CHARGE PUMPING IN SILICON ON INSULATOR STRUCTURES USING GATED P-I-N-DIODES

被引：10

作者：

ELEWA, T ^{[1
]}

HADDARA, H ^{[1
]}

CRISTOLOVEANU, S ^{[1
]}

BRUEL, M ^{[1
]}

机构：

[1] CEN,LETI,F-38041 GRENOBLE,FRANCE

来源：

JOURNAL DE PHYSIQUE | 1988年 / 49卷 / C-4期

关键词：

D O I：

10.1051/jphyscol:1988426

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用

页码：137 / 140

页数：4

共 9 条

BALESTRA, F ;

CRISTOLOVEANU, S ;

BENACHIR, M ;

BRINI, J ;

ELEWA, T .

[2] CHARGE PUMPING IN MOS DEVICES [J].

BRUGLER, JS ;

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