EFFECT OF CRYSTAL ORIENTATION ON ANISOTROPIC ETCHING AND MOCVD GROWTH OF GROOVES ON GAAS

被引：10

作者：

BAILEY, SG

LANDIS, GA

WILT, DM

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1149/1.2096468

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

页码：3444 / 3449

页数：6

共 9 条

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