SPECIFIC SITE LOCATION OF S AND SI IN ION-IMPLANTED GAAS

被引:33
作者
BHATTACHARYA, RS
PRONKO, PP
LING, SC
机构
[1] WRIGHT STATE UNIV,DAYTON,OH 45435
[2] USAF,AVION LAB,WRIGHT PATTERSON AFB,OH 45433
关键词
D O I
10.1063/1.93773
中图分类号
O59 [应用物理学];
学科分类号
摘要
引用
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页码:880 / 882
页数:3
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