ON THE STORAGE TIME OF INGAAS/INP BIPOLAR-TRANSISTORS

被引：4

作者：

SU, LM ^{[1
]}

MEKONNEN, G ^{[1
]}

GROTE, N ^{[1
]}

机构：

[1] HEINRICH HERTZ INST NACHRICHTENTECH,BERLIN,FED REP GER

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/EDL.1985.26227

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：554 / 556

页数：3

共 5 条

[1] DOUBLE HETEROJUNCTION NPN GAAIAS GAAS BIPOLAR-TRANSISTOR [J].

BENEKING, H ;

SU, LM .

[2] HETEROSTRUCTURE BIPOLAR-TRANSISTORS AND INTEGRATED-CIRCUITS [J].

KROEMER, H .

STILLMAN, GE ;

COOK, LW ;

BULMAN, GE ;

TABATABAIE, N ;

CHIN, R ;

DAPKUS, PD .

[4] NPNN DOUBLE-HETEROJUNCTION BIPOLAR-TRANSISTOR ON INGAASP/INP [J].

SU, LM ;

GROTE, N ;

KAUMANNS, R ;

SCHROETER, H .

TAKANASHI, Y ;

HORIKOSHI, Y .