EFFECTS OF MOS METALLIZATION GEOMETRY AND PROCESSING ON MOBILE IMPURITIES

被引：13

作者：

LEARN, AJ ^{[1
]}

机构：

[1] FAIRCHILD CAMERA & INSTR CORP,RES & DEV LAB,PALO ALTO,CA 94304

来源：

关键词：

D O I：

10.1149/1.2134409

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

页码：1127 / 1132

页数：6

共 17 条

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