HEAVY-ION-INDUCED, GATE-RUPTURE IN POWER MOSFETS

被引：74

作者：

FISCHER, TA

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/TNS.1987.4337555

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：1786 / 1791

页数：6

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[1] BURNOUT OF POWER MOS-TRANSISTORS WITH HEAVY-IONS OF CF-252 [J].

WASKIEWICZ, AE ;

GRONINGER, JW ;

STRAHAN, VH ;

LONG, DM .

[2] CURRENT INDUCED AVALANCHE IN EPITAXIAL STRUCTURES [J].

WROBEL, TF ;

COPPAGE, FN ;

HASH, GL ;

SMITH, AJ .

[3]

WROBEL TF, 1987, THESIS U NEW MEXICO