学术探索
学术期刊
新闻热点
数据分析
智能评审

THE VERTICAL HALL-EFFECT DEVICE

被引：127
作者：
POPOVIC, RS
机构：
来源：
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS | 1984年 / 5卷 / 09期
关键词：
D O I：
10.1109/EDL.1984.25945
中图分类号：
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ; 0809 ;
摘要：
引用
收藏
页码：357 / 358
页数：2
相关论文
共 4 条
[1]   INVARIANCE OF HALL-EFFECT MOSFET TO GATE GEOMETRY [J].
HEMMERT, RS .
SOLID-STATE ELECTRONICS, 1974, 17 (10) :1039-&
[2]  
Maupin J. T., 1980, Hall effect and its applications. Proceedings of the commemorative symposium, P421
[3]   AN INTEGRATED SILICON MAGNETIC-FIELD SENSOR USING THE MAGNETODIODE PRINCIPLE [J].
POPOVIC, RS ;
BALTES, HP ;
RUDOLF, F .
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 1984, 31 (03) :286-291
[4]   DUAL-COLLECTOR MAGNETOTRANSISTOR OPTIMIZED WITH RESPECT TO INJECTION MODULATION [J].
POPOVIC, RS ;
BALTES, HP .
SENSORS AND ACTUATORS, 1983, 4 (02) :155-163
1