BORON DOPING IN SI MOLECULAR-BEAM EPITAXY BY COEVAPORATION OF B2O3 OR DOPED SILICON

被引：34

作者：

OSTROM, RM

ALLEN, FG

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.96801

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：221 / 226

页数：6

共 11 条

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