EFFECTS OF H+ IMPLANT DOSE AND FILM DEPOSITION CONDITIONS ON POLYCRYSTALLINE-SI MOSFET CHARACTERISTICS

被引：21

作者：

RODDER, M

ANTONIADIS, DA

SCHOLZ, F

KALNITSKY, A

机构：

[1] NO TELECOM INC,SAN DIEGO,CA 92127

[2] NO TELECOM INC,OTTAWA,ONTARIO,CANADA

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/EDL.1987.26539

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：27 / 29

页数：3

共 3 条

HARBEKE, G ;

KRAUSBAUER, L ;

STEIGMEIER, EF ;

WIDMER, AE ;

KAPPERT, HF ;

NEUGEBAUER, G .

RODDER, M ;

ANTONIADIS, DA .

[3] DEACTIVATION OF THE BORON ACCEPTOR IN SILICON BY HYDROGEN [J].

SAH, CT ;

SUN, JY ;

TZOU, JJ .