LATERAL EPITAXIAL OVERGROWTH OF SILICON OVER RECESSED OXIDE

被引：6

作者：

JAYADEV, TS

OKAZAKI, E

PETERSEN, H

MILLMAN, M

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1049/el:19850231

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：327 / 328

页数：2

共 5 条

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