LOW-THRESHOLD OPERATION OF 1.5 MU-M BURIED-HETEROSTRUCTURE DFB LASERS GROWN ENTIRELY BY LOW-PRESSURE MOVPE

被引：16

作者：

ITAYA, Y

OISHI, M

NAKAO, M

SATO, K

KONDO, Y

IMAMURA, Y

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1049/el:19870136

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：193 / 194

页数：2

共 5 条

MILLER, BI ;

KOREN, U ;

CAPIK, RJ .

NELSON, AW ;

DEVLIN, WJ ;

HOBBS, RE ;

LENTON, CGD ;

WONG, S .

[3]

OISHI M, 1986, 10TH IEEE INT SEM LA

[4]

OISHI M, 1986, I PHYS C SER, V79, P673

[5] 1.2-1.6-MU-M GAXIN1-XASYP1-Y-INP DH LASERS GROWN BY LPMOCVD [J].

RAZEGHI, M ;

DECREMOUX, B ;

DUCHEMIN, JP .