ENHANCED MIGRATION OF IMPLANTED SB AND IN IN SI COVERED WITH EVAPORATED AL

被引：11

作者：

HART, RR

MARSH, OJ

LEE, DH

机构：

来源：

APPLIED PHYSICS LETTERS | 1972年 / 20卷 / 02期

关键词：

D O I：

10.1063/1.1654053

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

收藏

页码：76 / &

相关论文

共 5 条

[1] ION IMPLANTATION OF SILICON .I. ATOM LOCATION AND LATTICE DISORDER BY MEANS OF 1.0-MEV HELIUM ION SCATTERING
DAVIES, JA
DENHARTO.J
ERIKSSON, L
MAYER, JW
[J]. CANADIAN JOURNAL OF PHYSICS, 1967, 45 (12) : 4053 - &
[2] HART RR, 1971, 1971 P C ION IMPL SE
[3] EFFECTS OF AL FILMS ON ION-IMPLANTED SI
LEE, DH
HART, RR
MARSH, OJ
[J]. APPLIED PHYSICS LETTERS, 1972, 20 (02) : 73 - &
[4] LEE DH, 1971, 1971 P C ION IMPL SE
[5] ENHANCED DIFFUSION AND OUT-DIFFUSION IN ION-IMPLANTED SILICON
MEYER, O
MAYER, JW
[J]. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1970, 41 (10) : 4166 - &