CHARACTERIZATION OF ION-IMPLANTED SILICON BY ELECTROLYTIC REVERSE CURRENT

被引：4

作者：

HULLER, J ^{[1
]}

PHAM, MT ^{[1
]}

机构：

[1] AKAD WISSENSCH DDR,ZENT INST KERNFORSCH ROSSENDORF,DDR-8051 DRESDEN,GER DEM REP

来源：

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH | 1977年 / 43卷 / 02期

关键词：

D O I：

10.1002/pssa.2210430218

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

引用

页码：505 / 512

页数：8

共 14 条

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