THE USE OF ALUMINUM ION-IMPLANTATION FOR POWER SEMICONDUCTOR-DEVICES

被引：8

作者：

HALDER, E

ROGGWILLER, P

GOBRECHT, J

机构：

来源：

PHYSICA SCRIPTA | 1989年 / 39卷 / 03期

关键词：

D O I：

10.1088/0031-8949/39/3/030

中图分类号：

O4 [物理学];

学科分类号：

0702 ;

摘要：

引用

页码：406 / 409

页数：4

共 4 条

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