THEORETICAL-STUDY OF RELAXATION AT (110) GE-GAAS INTERFACE

被引：16

作者：

PICKETT, WE ^{[1
]}

COHEN, ML ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV CALIF BERKELEY,LAWRENCE BERKELEY LAB,DIV MAT & MOLEC RES,BERKELEY,CA 94720

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0038-1098(78)90218-1

中图分类号：

O469 [凝聚态物理学];

学科分类号：

070205 ;

摘要：

引用

页码：225 / 227

页数：3

共 5 条

[1] ELECTRONIC-STRUCTURE AT AN ABRUPT GAAS-GE INTERFACE [J].

BARAFF, GA ;

APPELBAUM, JA ;

HAMANN, DR .

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY, 1977, 14 (04) :999-1005

BARAFF, GA ;

APPELBAUM, JA ;

HAMANN, DR .

GOBELI, GW ;

ALLEN, FG .

PHYSICAL REVIEW, 1965, 137 (1A) :A245-&

PICKETT, WE ;

LOUIE, SG ;

COHEN, ML .

[5]

PICKETT WE, PHYS REV B