ANISOTROPIC PHENOMENA IN GAAS GROWTH-PROCESSES IN VAPOR-DEPOSITION SYSTEMS

被引：8

作者：

LAVRENTIEVA, LG

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0040-6090(80)90073-5

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

引用

页码：71 / 84

页数：14

共 44 条

[31]

Lavrentyeva L. G., 1971, Kristall und Technik, V6, P607, DOI 10.1002/crat.19710060505

[32]

LAVRENTYEVA LG, 1978, IZV VUZ FIZ+, P23

[33]

LISENKER BS, 1968, PROTSESSY ROSTA STRU, P153

[34] VAPOR GROWTH OF GALLIUM ARSENIDE [J].

NEWMAN, RL ;

GOLDSMITH, N .

[35]

SANGSTER RC, 1963, COMPOUND SEMICONDUCT, V1

SHAW, DW .

[37]

SHAW DW, 1967, 1966 P INT S GAAS RE, P10

[38]

SHAW DW, 1974, CRYSTAL GROWTH THEOR

[39]

SHEFTAL NN, 1966, KRISTALL TECHNIK, V1, P2

[40]

SIDOROV YG, 1975, 5TH P INT C CHEM VAP, P311