CURRENT DEPENDENCY OF OUTPUT CONDUCTANCE OF VOLTAGE-DRIVEN BIPOLAR-TRANSISTORS

被引：12

作者：

MEIJER, G ^{[1
]}

机构：

[1] DELFT UNIV TECHNOL,DEPT ELECT ENGN,DELFT,NETHERLANDS

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/JSSC.1977.1050926

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：428 / 429

页数：2

共 4 条

[1] EARLY-INTERCEPT VOLTAGE - PARAMETER OF VOLTAGE-DRIVEN BJTS [J].

HART, BL ;

BARKER, RWJ .

[2] INTERNAL THERMAL FEEDBACK IN 4-POLES ESPECIALLY IN TRANSISTORS [J].

MUELLER, O .

SANSEN, WMC ;

MEYER, RG .

[4] MEASUREMENTS OF BANDGAP NARROWING IN SI BIPOLAR-TRANSISTORS [J].

SLOTBOOM, JW ;

DEGRAAFF, HC .