INFLUENCE OF DESIGN AND PROCESS PARAMETERS ON RELIABILITY OF CMOS INTEGRATED-CIRCUITS

被引：6

作者：

AITKEN, A

KUNG, P

机构：

来源：

MICROELECTRONICS AND RELIABILITY | 1978年 / 17卷 / 01期

关键词：

D O I：

10.1016/0026-2714(78)91155-1

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：201 / 210

页数：10

共 4 条

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