PRESENCE OF DEEP LEVELS IN ION IMPLANTED JUNCTIONS

被引：17

作者：

HUNSPERGER, RG

MARSH, OJ

MEAD, CA

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.1652619

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：295 / +

页数：1

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共 5 条

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