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DIELECTRIC-CONSTANT STEP OF INP-IN1-XGAXASYP1-Y DH LASERS
被引:6
作者
:
HENSHALL, GD
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HENSHALL, GD
GREENE, PD
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GREENE, PD
THOMPSON, GHB
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THOMPSON, GHB
SELWAY, PR
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SELWAY, PR
机构
:
来源
:
ELECTRONICS LETTERS
|
1978年
/ 14卷
/ 24期
关键词
:
D O I
:
10.1049/el:19780537
中图分类号
:
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
:
0808 ;
0809 ;
摘要
:
引用
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页码:796 / 797
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[1]
ROOM-TEMPERATURE OPERATION OF GALNASP-LNP DOUBLE-HETEROSTRUCTURE DIODE LASERS EMITTING AT 1.1 MU-M
HSIEH, JJ
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机构:
MIT,LINCOLN LAB,LEXINGTON,MA 02173
MIT,LINCOLN LAB,LEXINGTON,MA 02173
HSIEH, JJ
[J].
APPLIED PHYSICS LETTERS,
1976,
28
(05)
: 283
-
285
[2]
Kirkby P. A., 1972, Opto-Electronics, V4, P323, DOI 10.1007/BF02334398
[3]
IN1-XGAXASYP1-Y-INP DH LASERS FABRICATED ON INP (100) SUBSTRATES
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机构:
YAMAMOTO, T
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机构:
SAKAI, K
AKIBA, S
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机构:
TOKYO INST TECHNOL,DEPT PHYS ELECTR,TOKYO 152,JAPAN
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AKIBA, S
SUEMATSU, Y
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机构:
TOKYO INST TECHNOL,DEPT PHYS ELECTR,TOKYO 152,JAPAN
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SUEMATSU, Y
[J].
IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS,
1978,
14
(02)
: 95
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[1]
ROOM-TEMPERATURE OPERATION OF GALNASP-LNP DOUBLE-HETEROSTRUCTURE DIODE LASERS EMITTING AT 1.1 MU-M
HSIEH, JJ
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机构:
MIT,LINCOLN LAB,LEXINGTON,MA 02173
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HSIEH, JJ
[J].
APPLIED PHYSICS LETTERS,
1976,
28
(05)
: 283
-
285
[2]
Kirkby P. A., 1972, Opto-Electronics, V4, P323, DOI 10.1007/BF02334398
[3]
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YAMAMOTO, T
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SAKAI, K
AKIBA, S
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TOKYO INST TECHNOL,DEPT PHYS ELECTR,TOKYO 152,JAPAN
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AKIBA, S
SUEMATSU, Y
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[J].
IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS,
1978,
14
(02)
: 95
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