ENHANCEMENT OF EFFECTIVE BARRIER HEIGHT IN TI-SILICON SCHOTTKY DIODE USING LOW-ENERGY ION-IMPLANTATION

被引：14

作者：

LI, SS ^{[1
]}

KIM, JS ^{[1
]}

WANG, KL ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV CALIF LOS ANGELES,DEPT ELECT ENGN & MAT SCI,LOS ANGELES,CA 90024

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/T-ED.1980.20031

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：1310 / 1312

页数：3

共 7 条

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